레포트 (43)
MOS Capacitor의 제작 및 C-V, I-V 측정
I-V를 측정한다.Au 증착Au 증착 MaskAg Plate 바른 기판Ag Plate 바른 시편 I-V 측정4. 실 험 결 과① C-VC-V graphAccumulationDepletionInversion1) C-V 결과2) C-V 분석(1) Accumulation (Va < VFB(-1.2V))Hole의 AccumulationFlat Band Condition축적 상태에서 홀은 반도체 표면에 쌓이게 되어 마치 금속 게이트와 P영역 사이가 Capacitor와
10페이지 | 1,200원 | 2013.04.11
[전자재료실험] MOS capacitor의 Silicon층 위의 Oxide층 제작 공정 분석
I-V 특성변수는 metal층이고 Q=I`t Q=C`V 이기 때문에 C= t over R로 쓸 수 있다. 앞의 식과 같이 Capacitance는 비저항에 반비례한다. Ti의 비저항(57.35 TIMES 10 ^-8 Ωm)이 Au의 비저항(2.24 TIMES 10 ^-8 OMEGA m)보다 크기 때문에 Capacitance는 Au가 Ti보다 더 큰 값을 나타낼 것으로 예상된다.금속종류에 따라 I-V특성도 차
16페이지 | 1,700원 | 2013.04.11
I-V를 측정하여 각각의 변수가 어떤 영향을 미치는지에 대하여 분석해 본다. 2. 실험 배경1960년에 벨 연구소의 연구진은 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)을 발명했다. 이는 이전 트랜지스터에 비해 저렴한 생산비와 기술적 이점을 가졌으며 성능 또한 우수해 전자공학에서 주도적인 역할
19페이지 | 2,500원 | 2013.12.23
반도체 공정실험-SiO2 절연막 두께에 따른 C-V, I-V의 특성
I-V 특성이상적인 게이트 절연체는 어떠한 전류도 흐르지 못하지만, 실제 절연체는 게이트 산화물을 가로지르는 전계나 전압에 따라 변하는 약간의 누설이 있을 수 있다. 산화물-실리콘 계면에 수직인 MOS 에너지 대역을 생각해보면 전도대에 있는 전자에 대해 Si와 산화물은 E c가 서로 다르기 때문에
16페이지 | 1,700원 | 2014.12.23
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